Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) 2SCR562F3TR

Транзисторы биполярные (BJTs) 2SCR562F3TR

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069579728
Бренд
Rohm
Вес, г
0.05
Power Dissipation
1Вт
Вид монтажа
SMD/SMT
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Цена по запросу
(от 51,51 ₽)
Минимальный заказ: 112 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S

Технические параметры

Вес, г0.05
Power Dissipation1Вт
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокDFN2020-3
Continuous Collector Current6А
Collector Emitter Voltage Max30В
DC Усиление Тока hFE200hFE
Частота Перехода ft270МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности2.1 W
Другие названия товара №2SCR562F3
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораHUML2020
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток6 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора7 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер100 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.500
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)270 MHz

Техническая документация