Моя заявка (0)

Транзисторы биполярные (BJTs) 2SCR553RTL

Транзисторы биполярные (BJTs) 2SCR553RTL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067965739
Бренд
Rohm
Вес, г
0.05
Power Dissipation
500мВт
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 37,45 ₽)
Минимальный заказ: 96 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 2A Ic 50V Vceo TSMT3

Технические параметры

Вес, г0.05
Power Dissipation500мВт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min180hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTSMT-3
Continuous Collector Current2А
Collector Emitter Voltage Max50В
DC Усиление Тока hFE180hFE
Частота Перехода ft360МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1 W
Другие названия товара №2SCR553R
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-346T
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора4 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер130 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)180
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)360 MHz

Техническая документация