Транзисторы биполярные (BJTs) 2SB1202S-TL-E
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004662331
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- -
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Вес, г
- 0.1
- Part Status
- Active
Цена по запросу
(от 98,25 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР, PNP, -50V, -3A, TO-252; Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: -50 В; Частота переxода ft:150 МГц; Рассеиваемая мощность Pd:15 Вт; Ток коллектора постоянного тока:-3A; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:140hFE; Тип корпуса транзистора:TO-252; Количество контактов:3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции:-; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC:Ведущий (27 июня 2018)
Технические параметры
| Series | - |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Вес, г | 0.1 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Transistor Type | PNP |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Supplier Device Package | 2-TP-FA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 100mA, 2A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA(ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |