Транзисторы биполярные (BJTs) 2SB1124S-TD-E
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8035069020
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Type
- PNP
Цена по запросу
(от 141 ₽)
Минимальный заказ: 54 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT PNP 50V 3A 500 МВт 4-контактный(3+вкладки) SOT-89 T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Type | PNP |
| Category | Bipolar Small Signal |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Package Width | 2.5 |
| Package Length | 4.5 |
| Supplier Package | SOT-89 |
| Standard Package Name | SOT |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Minimum DC Current Gain | 140@100mA@2V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 6 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 3 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@100mA@2A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7@100mA@2A |