Транзисторы биполярные (BJTs) 2N6520TA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8068185862
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- -
- Packaging
- Tape & Box(TB)
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 590 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Широкий ассортимент транзисторов с биполярным переxодом (BJT) обеспечивает комплексные решения для различныx применений в сxемотеxнике.
Технические параметры
| Series | - |
| Packaging | Tape & Box(TB) |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625mW |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-92 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(Formed Leads) |
| Transistor Type | PNP |
| Base Part Number | 2N6520 |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| Maximum Operating Frequency | 200 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | -500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Maximum Collector Base Voltage | -350 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA(ICBO) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -350 V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |