Транзисторы биполярные (BJTs) 2N6517BU
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069484209
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Category
- Bipolar Small Signal
- Mounting
- Through Hole
- Frequency
- 200(MHz)
- Packaging
- Bag
Цена по запросу
(от 14 ₽)
Минимальный заказ: 2900 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Технические параметры
| Category | Bipolar Small Signal |
| Mounting | Through Hole |
| Frequency | 200(MHz) |
| Packaging | Bag |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.9 |
| Длина | 4.7 mm |
| Серия | 2N6517 |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-92 |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 4.7 mm |
| Ширина | 3.93 mm |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 20 |
| Упаковка | Bulk |
| Power Dissipation | 0.625(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Emitter-Base Voltage | 6(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Collector Current (DC) | 0.5(A) |
| Collector-Base Voltage | 350(V) |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Другие названия товара № | 2N6517BU_NL |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 350 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 350 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |