Транзисторы биполярные (BJTs) 2N3906BU
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8068823211
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 3.93 mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
Цена по запросу
(от 6,04 ₽)
Минимальный заказ: 5500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальные PNP-транзисторы, от 40 до 50 В, Fairchild Semiconductor
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 3.93 mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Height | 4.7 mm |
| Length | 4.7 mm |
| Series | 2N3906 |
| Series: | 2N3906 |
| Packaging | Bulk |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Bulk |
| Вес, г | 1.9 |
| Длина | 5.2мм |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.006314 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-92 |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 5.33мм |
| Ширина | 4.19мм |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-92-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-92-3 |
| Part # Aliases | 2N3906BU_NL |
| Размеры | 5.2 x 4.19 x 5.33мм |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | 2N3906BU_NL |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Тип корпуса | TO-92 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Pd - Power Dissipation | 625 mW |
| DC Current Gain hFE Max | 300 |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 300 |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Gain Bandwidth Product fT | 250 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 250 MHz |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 40 V |
| Maximum DC Collector Current | 0.2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Тип транзистора | PNP |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Collector Base Voltage | -40 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное рассеяние мощности | 0.625 W |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный пост. ток коллектора | 200 mA |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | -5 V |
| Максимальное напряжение коллектор-база | -40 V |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 40 V |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | -0,95 В |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.4 V |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 30 |