Транзистор FQP50N06L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044146314
- Бренд
- Нет торговой марки
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 4.7 mm
Цена по запросу
(от 380 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор FQP50N06L — изделие серии FQP50. Характеристики Обозначение: FQP50N06L Корпус: TO-220 Масса: 2 г Единица измерения: шт
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 4.7 mm |
| Height | 16.3 mm |
| Length | 10.67 mm |
| Series | FQP50N06L |
| Fall Time | 145 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 380 ns |
| Tradename | QFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 2 |
| Unit Weight | 0.063493 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Pd - Power Dissipation | 121 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 52 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 40 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 21 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Крутизна характеристики, S | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 121 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |