ТРАНЗИСРОР FGL40N120AND, ON SEMICONDUCTOR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8028982404
- Бренд
- Нет торговой марки
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 5 mm
- Height
- 26 mm
Цена по запросу
(от 1 280 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT, N-КАНАЛЬНЫЙ, БЫСТРЫЙ, W/DIO,1200 В,64 А, TO264; Тип транзистора: IGBT; Ток коллектора постоянного тока:64 А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces:1,2 кВ; Рассеиваемая мощность Pd:500 Вт; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo:1,2 кВ; Диапазон рабочиx температур: -55°CC до +150°C; Тип корпуса транзистора: TO-264; Количество контактов: 3; SVHC: Без SVHC (19 декабря 2011 г.); Максимальная рассеиваемая мощность: 500 Вт
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 5 mm |
| Height | 26 mm |
| Length | 20 mm |
| Series | FGL40N120AND |
| Packaging | Tube |
| Technology | Si |
| Вес, г | 10 |
| Unit Weight | 0.238311 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Корпус | TO-264 |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-264-3 |
| Part # Aliases | FGL40N120ANDTU_NL |
| Product Category | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 25 |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-25 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
| Continuous Collector Current Ic Max | 64 A |
| Технология/семейство | NPT |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 64 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 500 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 15 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.2 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 110 |