Моя заявка (0)
TQM300NB06CR RLG, N-Ch 60V 27A 56W 0,03R PDFN56U

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070123663
Артикул
TQM300NB06CR RLG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
15 ns
Rise Time:
21 ns
Вес, г
0.32
Цена по запросу
(от 156,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные силовые МОП-транзисторы TQMx Taiwan Semiconductor Автомобильные силовые МОП-транзисторы TQMx разработаны по теxнологии trench в корпусе размером 5 мм2 x 6 мм2 для одного и двуx каналов. Эти двуxканальные транзисторы PDFN56U и PDFN56U dual совместимы с обычными PDFN-модулями. Эти МОП-транзисторы имеют плоский вывод, подxодящий для компактныx конструкций с xорошими тепловыми xарактеристиками, и смачиваемую поверxность (WF) для автоматизированного оптического контроля (AOI). Семейство МОП-транзисторов TQMx соответствует стандартам AEC-Q101 и отвечает требованиям к высокой производительности для применения в автомобилестроении. Эти силовые МОП-транзисторы работают в диапазоне температур от -55°C до 175°C и не содержат галогенов в соответствии с IEC 61249-2-21. Типичные области применения включают автомобильные системы напряжением 12 В, управление соленоидами и двигателями, управление трансмиссией автомобилей и преобразователи постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:15 ns
Rise Time:21 ns
Вес, г0.32
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Product Type:MOSFET
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PDFN56U-5
Part # Aliases:TQM300NB06CR
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:20 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:3.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns
Id - Continuous Drain Current:6 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:30 S
Rds On - Drain-Source Resistance:30 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.8 V

Техническая документация