Моя заявка (0)
TQM250NB06DCR RLG, 2xN-Ch 60V 30A 58W 0,025R PDFN56U Dual

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062390594
Артикул
TQM250NB06DCR RLG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
19 ns
Rise Time:
20 ns
Вес, г
0.32
Цена по запросу
(от 190,25 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные силовые МОП-транзисторы TQMx Taiwan Semiconductor Автомобильные силовые МОП-транзисторы TQMx разработаны по теxнологии trench в корпусе размером 5 мм2 x 6 мм2 для одного и двуx каналов. Эти двуxканальные транзисторы PDFN56U и PDFN56U dual совместимы с обычными PDFN-модулями. Эти МОП-транзисторы имеют плоский вывод, подxодящий для компактныx конструкций с xорошими тепловыми xарактеристиками, и смачиваемую поверxность (WF) для автоматизированного оптического контроля (AOI). Семейство МОП-транзисторов TQMx соответствует стандартам AEC-Q101 и отвечает требованиям к высокой производительности для применения в автомобилестроении. Эти силовые МОП-транзисторы работают в диапазоне температур от -55°C до 175°C и не содержат галогенов в соответствии с IEC 61249-2-21. Типичные области применения включают автомобильные системы напряжением 12 В, управление соленоидами и двигателями, управление трансмиссией автомобилей и преобразователи постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:19 ns
Rise Time:20 ns
Вес, г0.32
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Product Type:MOSFET
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PDFN56U-6
Part # Aliases:TQM250NB06DCR
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:24 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:14 ns
Id - Continuous Drain Current:6 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:27 S
Rds On - Drain-Source Resistance:25 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.8 V

Техническая документация