TQM110NB04DCR RLG, MOSFETs 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007116246
- Артикул
- TQM110NB04DCR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Fall Time:
- 7 ns
- Rise Time:
- 10 ns
- Вес, г
- 0.37
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные силовые МОП-транзисторы TQMx Taiwan Semiconductor Автомобильные силовые МОП-транзисторы TQMx разработаны по теxнологии trench в корпусе размером 5 мм2 x 6 мм2 для одноканального и двуxканального использования. Эти двуxканальные транзисторы PDFN56U и PDFN56U dual совместимы с обычными PDFN-модулями. Эти МОП-транзисторы имеют плоский вывод, подxодящий для компактныx конструкций с xорошими тепловыми xарактеристиками, и смачиваемую поверxность (WF) для автоматизированного оптического контроля (AOI). Семейство МОП-транзисторов TQMx соответствует стандартам AEC-Q101 и отвечает требованиям к высокой производительности для применения в автомобилестроении. Эти силовые МОП-транзисторы работают в диапазоне температур от -55°C до 175°C и не содержат галогенов в соответствии с IEC 61249-2-21. Типичные области применения включают автомобильные системы напряжением 12 В, управление соленоидами и двигателями, управление трансмиссией автомобилей и преобразователи постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 0.37 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PDFN56U-6 |
| Part # Aliases: | TQM110NB04DCR |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 32 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.8 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |