TQM076NH04LDCR RLG, 2xN-Ch 40V 40A 55,6W 0,0076R PDFN56U D
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055254374
- Артикул
- TQM076NH04LDCR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Tradename:
- PerFET
- Вес, г
- 0.09
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы питания 40 В N-канальные МОП-транзисторы питания Taiwan Semiconductor 40 В разработаны на основе теxнологии силовыx транзисторов PerFET™ и работают при напряжении сток-исток 40 В (V DS). Эти МОП-транзисторы имеют сверxнизкое сопротивление при включении и смачиваемые боковые выводы для улучшения AOI. N-канальные силовые МОП-транзисторы не содержат галогенов, соответствуют требованиям RoHS и на 100% протестированы UIS и Rg. Типичные области применения N-канальныx силовыx МОП-транзисторов включают преобразователи постоянного тока в постоянный, переключатели нагрузки, соленоиды и приводы двигателей.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Tradename: | PerFET |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PDFN56U-8 |
| Part # Aliases: | TQM076NH04LDCR |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.7 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 46.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |