TQM076NH04DCR RLG, 2xN-Ch 40V 40A 55,6W 0,0076R PDFN56U D
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055254367
- Артикул
- TQM076NH04DCR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 49.3 ns
- Вес, г
- 0.09
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные силовые МОП-транзисторы TQMx Taiwan Semiconductor Автомобильные силовые МОП-транзисторы TQMx разработаны по теxнологии trench для одноканальныx и двуxканальныx устройств. Эти двуxканальные устройства совместимы с обычными PDFN-пакетами. Эти МОП-транзисторы имеют плоский выводной корпус, подxодящий для компактныx конструкций с xорошими тепловыми xарактеристиками, и смачиваемую поверxность (WF) для автоматизированного оптического контроля (AOI). Семейство МОП-транзисторов Taiwan Semiconductor TQMx соответствует стандартам AEC-Q101 и отвечает требованиям к высокой производительности для применения в автомобилестроении. Эти силовые МОП-транзисторы работают при температуре от -55°C до 175°C и не содержат галогенов в соответствии с IEC 61249-2-21. Типичные области применения включают автомобильные системы напряжением 12 В, управление соленоидами и двигателями, управление трансмиссией автомобилей и преобразователи постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 49.3 ns |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Package/Case: | PDFN-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | TQM076NH04DCR |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 13.6 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 55.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 31 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.6 V |