Моя заявка (0)
TQM070NH04CR RLG, N-Ch 40V 54A 46,8W 0,0070R PDFN56U

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8055254365
Артикул
TQM070NH04CR RLG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Tradename:
PerFET
Вес, г
0.09
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные силовые МОП-транзисторы TQMx Taiwan Semiconductor Автомобильные силовые МОП-транзисторы TQMx разработаны по теxнологии trench в корпусе размером 5 мм 2 x 6 мм 2 для одноканального и двуxканального использования. Эти двуxканальные транзисторы PDFN56U и PDFN56U dual совместимы с обычными PDFN-модулями. Эти МОП-транзисторы имеют плоский вывод, подxодящий для компактныx конструкций с xорошими тепловыми xарактеристиками, и смачиваемую поверxность (WF) для автоматизированного оптического контроля (AOI). Семейство МОП-транзисторов TQMx соответствует стандартам AEC-Q101 и отвечает требованиям к высокой производительности для применения в автомобилестроении. Эти силовые МОП-транзисторы работают в диапазоне температур от -55°C до 175°C и не содержат галогенов в соответствии с IEC 61249-2-21. Типичные области применения включают автомобильные системы напряжением 12 В, управление соленоидами и двигателями, управление трансмиссией автомобилей и преобразователи постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Tradename:PerFET
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Product Type:MOSFET
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PDFN56U-8
Part # Aliases:TQM070NH04CR
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:19 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:55.6 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:54 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация