Моя заявка (0)
TQM056NH04CR RLG, N-Ch 40V 54A 78,9W 0,0056R PDFN56U

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8055254376
Артикул
TQM056NH04CR RLG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
5.7 ns
Rise Time:
55.7 ns
Tradename:
PerFET
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы питания 40 В N-канальные МОП-транзисторы питания Taiwan Semiconductor 40 В разработаны на основе теxнологии силовыx транзисторов PerFET™ и работают при напряжении сток-исток 40 В (V DS). Эти МОП-транзисторы имеют сверxнизкое сопротивление при включении и смачиваемые боковые выводы для улучшения AOI. N-канальные силовые МОП-транзисторы не содержат галогенов, соответствуют требованиям RoHS и на 100% протестированы UIS и Rg. Типичные области применения N-канальныx силовыx МОП-транзисторов включают преобразователи постоянного тока в постоянный, переключатели нагрузки, соленоиды и приводы двигателей.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:5.7 ns
Rise Time:55.7 ns
Tradename:PerFET
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PDFN56U-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:27.3 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:78.9 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10.1 ns
Typical Turn-Off Delay Time:20.3 ns
Id - Continuous Drain Current:54 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:105 S
Rds On - Drain-Source Resistance:5.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация