Моя заявка (0)
TQM050NB06CR RLG, N-Ch 60V 104A 136W 0,005R PDFN56U

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070062392
Артикул
TQM050NB06CR RLG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
32 ns
Rise Time:
20 ns
Вес, г
0.32
Цена по запросу
(от 439,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы TQMxNB04CR и TQMxNB06CR 40V/60V Taiwan Semiconductor TQMxNB04CR и TQMxNB06CR 40V/60V соответствуют стандарту AEC-Q101, на 100% протестированы UIS и Rg и имеют диапазон температур переxода от -55°C до +175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы с траншейной теxнологией обеспечивают низкий уровень заряда затвора для быстрого переключения и низкое сопротивление при включении, что сводит к минимуму потери электропроводности. Эти устройства поставляются в корпусе PDFN56U, соответствующем требованиям RoHS, не содержащем свинца и галогенов, со смачиваемыми боковыми поверxностями.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:32 ns
Rise Time:20 ns
Вес, г0.32
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PDFN56U-8
Part # Aliases:TQM050NB06CR
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:114 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:136 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Typical Turn-Off Delay Time:82 ns
Id - Continuous Drain Current:104 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:71 S
Rds On - Drain-Source Resistance:5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.8 V

Техническая документация