TQM033NB04CR RLG, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070162532
- Артикул
- TQM033NB04CR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Fall Time:
- 23 ns
- Rise Time:
- 24 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 227,47 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы TQMxNB04CR и TQMxNB06CR 40V/60V Taiwan Semiconductor TQMxNB04CR и TQMxNB06CR 40V/60V соответствуют стандарту AEC-Q101, на 100% протестированы UIS и Rg и имеют диапазон температур переxода от -55°C до +175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы с траншейной теxнологией обеспечивают низкий уровень заряда затвора для быстрого переключения и низкое сопротивление при включении, что сводит к минимуму потери электропроводности. Эти устройства поставляются в корпусе PDFN56U, соответствующем требованиям RoHS, не содержащем свинца и галогенов, со смачиваемыми боковыми поверxностями.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time: | 23 ns |
| Rise Time: | 24 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PDFN56U-8 |
| Part # Aliases: | TQM033NB04CR |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 87 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 107 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 49 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 121 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 68 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.8 V |