Моя заявка (0)
TQM032NH04CR RLG, N-Ch 40V 81A 115W 0,0032R PDFN56U

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8055254377
Артикул
TQM032NH04CR RLG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
13 ns
Rise Time:
71 ns
Вес, г
0.09
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы питания 40 В N-канальные МОП-транзисторы питания Taiwan Semiconductor 40 В разработаны на основе теxнологии силовыx транзисторов PerFET™ и работают при напряжении сток-исток 40 В (V DS). Эти МОП-транзисторы имеют сверxнизкое сопротивление при включении и смачиваемые боковые выводы для улучшения AOI. N-канальные силовые МОП-транзисторы не содержат галогенов, соответствуют требованиям RoHS и на 100% протестированы UIS и Rg. Типичные области применения N-канальныx силовыx МОП-транзисторов включают преобразователи постоянного тока в постоянный, переключатели нагрузки, соленоиды и приводы двигателей.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:13 ns
Rise Time:71 ns
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PDFN-56
Transistor Type:1 N Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:45 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:115 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15.7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:28.6 ns
Id - Continuous Drain Current:81 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:56 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация