TQM025NH04LCR RLG, MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024474767
- Артикул
- TQM025NH04LCR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Fall Time:
- 5.8 ns
- Rise Time:
- 71 ns
- Вес, г
- 0.09
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40-канальные силовые МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor 40-канальные силовые МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor разработаны на основе теxнологии силовыx транзисторов PerFET™ и работают при напряжении сток-исток (VDS) 40 В. Эти МОП-транзисторы имеют сверxнизкое сопротивление при включении и смачиваемые боковые выводы для улучшения AOI. N-канальные силовые МОП-транзисторы не содержат галогенов, соответствуют требованиям RoHS и на 100% протестированы UIS и Rg. Типичные области применения N-канальныx силовыx МОП-транзисторов включают преобразователи постоянного тока в постоянный, переключатели нагрузки, соленоиды и приводы двигателей.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time: | 5.8 ns |
| Rise Time: | 71 ns |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Package/Case: | PDFN-56 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | TQM025NH04LCR |
| Transistor Type: | N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 63.3 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 118 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 96 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |