TQM025NH04CR RLG, MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024121249
- Артикул
- TQM025NH04CR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Fall Time:
- 5.8 ns
- Rise Time:
- 70.6 ns
- Вес, г
- 0.09
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы TQM0xNH04CR Taiwan Semiconductor TQM0xNH04CR представляют собой одноканальные МОП-транзисторы, соответствующие стандарту AEC-Q101. Эти силовые МОП-транзисторы имеют отличные xарактеристики FOM и смачиваемые боковые выводы для улучшения AOI. N-канальные силовые МОП-транзисторы на 100% протестированы на UIS и Rg и работают при температуре переxода 175°C. Эти силовые МОП-транзисторы имеют напряжение стока от источника питания 40 В и импульсный ток стока 400 А и поставляются в корпусе PDFN56U. Силовые МОП-транзисторы TQM0xNH04CR не содержат галогенов и соответствуют требованиям RoHS. Типичные области применения - автомобилестроение, приводы соленоидов и двигателей, а также преобразователи постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time: | 5.8 ns |
| Rise Time: | 70.6 ns |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Package/Case: | PDFN56U-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | TQM025NH04CR |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 174 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |