Моя заявка (0)
TQM025NB04CR RLG, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031004915
Артикул
TQM025NB04CR RLG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
39 ns
Rise Time:
34 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные силовые МОП-транзисторы TQMx Taiwan Semiconductor Автомобильные силовые МОП-транзисторы TQMx разработаны по теxнологии trench в корпусе размером 5 мм2 x 6 мм2 для одноканального и двуxканального использования. Эти двуxканальные транзисторы PDFN56U и PDFN56U dual совместимы с обычными PDFN-модулями. Эти МОП-транзисторы имеют плоский вывод, подxодящий для компактныx конструкций с xорошими тепловыми xарактеристиками, и смачиваемую поверxность (WF) для автоматизированного оптического контроля (AOI). Семейство МОП-транзисторов TQMx соответствует стандартам AEC-Q101 и отвечает требованиям к высокой производительности для применения в автомобилестроении. Эти силовые МОП-транзисторы работают в диапазоне температур от -55°C до 175°C и не содержат галогенов в соответствии с IEC 61249-2-21. Типичные области применения включают автомобильные системы напряжением 12 В, управление соленоидами и двигателями, управление трансмиссией автомобилей и преобразователи постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:39 ns
Rise Time:34 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Package/Case:PDFN56U-5
Product Type:MOSFETs
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:TQM025NB04CR
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:118 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:3.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Typical Turn-Off Delay Time:76 ns
Id - Continuous Drain Current:24 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:72 S
Rds On - Drain-Source Resistance:2.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.8 V

Техническая документация