TPWR8004PL,L1Q, Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002215917
- Артикул
- TPWR8004PL,L1Q
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 40V 340A с 8-контактным разъемом DSOP Advance
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DSOP Advance |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Process Technology | U-MOSIX-H |
| Структура | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 14 |
| Typical Rise Time (ns) | 13 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 103 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 49@4.5V|103@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 340 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 7370@20V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 0.8@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 340 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |