TPWR7904PB,L1XHQ, DSOPADVANCE-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048315258
- Артикул
- TPWR7904PB,L1XHQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- UMOS IX
- Fall Time:
- 35 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 620 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные силовые МОП-транзисторы U-MOSIX-H Силовые МОП-транзисторы Toshiba Automotive U-MOSIX-H - это N-канальные МОП-транзисторы напряжением 40 В, которые идеально подxодят для применения в автомобилестроении. Эти устройства выполнены в компактном корпусе SOP Advance (WF) с низким сопротивлением. Они отличаются низким сопротивлением при включении, что позволяет снизить потери проводимости. Серия U-MOSIX-H также снижает уровень шума при переключении по сравнению с предыдущей серией устройств Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation (U-MOSIV).
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | UMOS IX |
| Fall Time: | 35 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 0.28 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DSOP-Advance-8 |
| Part # Aliases: | TPWR7904PB, L1XHQ(O |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 85 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 115 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 150 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 790 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |