Моя заявка (0)

TPWR6003PL,L1Q(M,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Surface Mount

TPWR6003PL,L1Q(M,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044637646
Артикул
TPWR6003PL,L1Q(M
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.1
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
U-MOSIX-H Series
Цена по запросу
(от 1 250 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.1
No. of Pins8Pins
Channel TypeN Channel
Product RangeU-MOSIX-H Series
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleDSOP
Особенности-
Drain Source Voltage Vds30V
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id412A
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А412
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт170
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)360µohm

Техническая документация