TPW2900ENH,L1Q(M,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044637643
- Артикул
- TPW2900ENH,L1Q(M
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.1
- No. of Pins
- 8Pins
- Channel Type
- N Channel
- Product Range
- U-MOSVIII-H Series
Цена по запросу
(от 1 140 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | U-MOSVIII-H Series |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | DSOP |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 200V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 36A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 142 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10V |