Моя заявка (0)

TPW1R005PL,L1Q, Trans MOSFET N-CH Si 45V 300A 8-Pin DSOP Advance T/R

TPW1R005PL,L1Q, Trans MOSFET N-CH Si 45V 300A 8-Pin DSOP Advance T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002253277
Артикул
TPW1R005PL,L1Q
Бренд
Toshiba
PPAP
No
RoHS
Details
Brand
Toshiba
Width
5 mm
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Минимальный заказ: 66 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH Si 45V 300A с 8-контактным разъемом DSOP Advance T/R

Технические параметры

PPAPNo
RoHSDetails
BrandToshiba
Width5 mm
Height0.73 mm
Length5 mm
SeriesU-MOSIX-H
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
TechnologySi
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerToshiba
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseDSOP-Advance-8
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryPower MOSFET
Qg - Gate Charge122 nC
Supplier PackageDSOP Advance
Number of Channels1 Channel
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity5000
Pd - Power Dissipation170 W
Typical Fall Time (ns)18
Typical Rise Time (ns)17
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Id - Continuous Drain Current300 A
Maximum Power Dissipation (mW)3000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)122
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)59@4.5V|122@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Maximum Drain Source Voltage (V)45
Rds On - Drain-Source Resistance1.65 mOhms
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)300
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)7700@22.5V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage45 V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)0.99@10V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В45
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А300
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт170
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация