TPS1120DR, MOSFETs Dual P-Ch Enh-Mode M OSFET A 595-TPS1120 A 595-TPS1120D
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005469406
- Артикул
- TPS1120DR
- Бренд
- Texas Instruments
- Type:
- PMOS Switches
- Brand:
- Texas Instruments
- Product:
- MOSFET Small Signals
- Fall Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 340,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | PMOS Switches |
| Brand: | Texas Instruments |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 0.07 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 5.45 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 100 |
| Power Dissipation (Pd) | 840mW |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 840 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.45nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +2 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.17A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.17 A |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 180 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 15 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.84 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 180mΩ@10V, 1.5A |