TPS1120D, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -15В; -0,53А; Idm: 7А; SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010486863
- Артикул
- TPS1120D
- Бренд
- Texas Instruments
- Case
- SO8
- Тип
- PMOS Switches
- Version
- ESD
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 366 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Dual P-Ch Enh-Mode МОП-транзистор
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Тип | PMOS Switches |
| Version | ESD |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 4.9 mm |
| Серия | TPS1120 |
| Gate charge | 5.45nC |
| Manufacturer | TEXAS INSTRUMENTS |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 1.75 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Drain current | -0.53A |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Type of transistor | P-MOSFET x2 |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±15V |
| On-state resistance | 0.18Ω |
| Drain-source voltage | -15V |
| Pulsed drain current | 7A |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Время нарастания | 10 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 840 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.17 A |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V, 2 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 15 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.53 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 15 V, 2 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 180 mOhms |