Моя заявка (0)
TPS1100PWR, Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.27A 8-Pin TSSOP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8040417735
Артикул
TPS1100PWR
Бренд
Texas Instruments
PPAP
No
SVHC
Yes
Material
Si
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 261 ₽)
Минимальный заказ: 292 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH Si 15V 1.27A с 8-контактным разъемом TSSOP T/R

Технические параметры

PPAPNo
SVHCYes
MaterialSi
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width4.5(Max)mm
Package Length3.1(Max)mm
Product CategorySmall Signal
Supplier PackageTSSOP
СтруктураMOSFET
Standard Package NameSO
Typical Fall Time (ns)2
Typical Rise Time (ns)10
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)504
Typical Gate Charge @ 10V (nC)5.45
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)5.45@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)2
Typical Turn-On Delay Time (ns)4.5
Maximum Drain-Source Voltage (V)15
Typical Turn-Off Delay Time (ns)13
Typical Gate to Drain Charge (nC)1.4
Maximum Gate Threshold Voltage (V)1.5
Typical Gate to Source Charge (nC)0.87
Maximum Operating Temperature (°C)125
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Continuous Drain Current (A)1.27
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)400@4.5V
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)180@10V|291@4.5V|476@3V|606@2.7V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В15
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.27
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В