TPS1100DR, MOSFETs Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1100D
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004608280
- Артикул
- TPS1100DR
- Бренд
- Texas Instruments
- Type
- 1PCSPChannel
- Тип
- PMOS Switches
- Вес, г
- 0.08
- Длина
- 4.9 mm
Цена по запросу
(от 266,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Single P-Ch Enh-Mode МОП-транзистор
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Тип | PMOS Switches |
| Вес, г | 0.08 |
| Длина | 4.9 mm |
| Серия | TPS1100 |
| Высота | 1.75 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 791mW |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.45nC@10V |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.6A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 5.45 nC |
| Время нарастания | 10 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 791 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V, + 2 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 15 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 15 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.5 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.791 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 180mΩ@10V, 1.5A |