Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024893956
Артикул
TPNTGD4167CT1G
Бренд
TECH PUBLIC
Вес, г
0.19
Корпус
sot23
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
1.2W
Цена по запросу
(от 17,69 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.19
Корпусsot23
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)1.2W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)5nC@15V
Input Capacitance (Ciss@Vds)199pF@15V
Continuous Drain Current (Id)3A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)28pF
Пороговое напряжение на затворе1.6V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)85mΩ@4.5V, 2A