TPN7R506NH,L1Q(M,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044526287
- Артикул
- TPN7R506NH,L1Q(M
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 450 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-контактный TSON EP Advance T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 0.03 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 3.1 |
| Package Length | 3.1 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TSON EP Advance |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SON |
| Typical Fall Time (ns) | 5.6 |
| Typical Rise Time (ns) | 5.7 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1900 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 22@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1410@30V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 7.5@10V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 53 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |