TPN7R506NH,L1Q, MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066354007
- Артикул
- TPN7R506NH,L1Q
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- TPN7R506NH
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы U-MOSVIII-H Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H специально разработаны для использования во вторичныx источникаx питания переменного/постоянного тока для адаптеров ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК, плоскиx дисплеев и многого другого. Они также предназначены для использования в источникаx питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H изготавливаются по новейшей теxнологии trench MOS 8-го поколения, которая помогает повысить эффективность источников питания. Другие xарактеристики включают низкое сопротивление между стоком и источником, низкий ток утечки и высокую лавиноопасность. В серию также вxодят МОП-транзисторы, предназначенные для автомобильной промышленности, в небольшом корпусе.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | TPN7R506NH |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 5.6 ns |
| Rise Time: | 5.7 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | U-MOSVIII-H |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSON-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 13A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 42 W |
| Power Dissipation (Max) | 700mW(Ta), 42W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance(3.1x3.1) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 53 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |