TPN3300ANH,LQ(S, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 9.4 A, 0.028 ohm, TSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015480506
- Артикул
- TPN3300ANH,LQ(S
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 3.1mm
- Series
- U-MOSVIII-H
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.001
Цена по запросу
(от 400 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Рыночный спрос на этот продукт привел к увеличению сроков поставки. Сроки поставки могут меняться. Скидки на этот продукт не распространяются.
Технические параметры
| Width | 3.1mm |
| Series | U-MOSVIII-H |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TSON |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 27Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 27 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 33 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.028Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 9.4А |
| Рассеиваемая Мощность | 27Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.028Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 27 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.028 Ом |