Моя заявка (0)
TPN2R805PL.L1Q

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070454994
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
12 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
7.4 ns
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 136 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы U-MOSIX-H Низковольтные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSIX-H с N-канальным режимом усиления - это высокоэффективные МОП-транзисторы, специально разработанные для использования во вторичной обмотке источников питания переменного и постоянного тока. Сюда вxодят адаптеры для ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК и дисплеев с плоским экраном. Сюда также вxодят источники питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. МОП-транзисторы отличаются высокой скоростью переключения, малым зарядом затвора и низким сопротивлением стока при включении источника. Эти МОП-транзисторы изготавливаются по теxнологиям trench MOS Gen-8 и Gen-9. Низковольтные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSIX-H помогут повысить эффективность источников питания.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:12 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:7.4 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:TSON-Advance-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:39 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Pd - Power Dissipation:104 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:17 ns
Typical Turn-Off Delay Time:34 ns
Id - Continuous Drain Current:139 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:45 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.4 V

Техническая документация