TPN2R203NC,L1Q(M, 30V 45A 700mW 2.2mOhm@10V,22.5A 2.3V@500uA N Channel TSON-8(3.1x3.1) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017626636
- Артикул
- TPN2R203NC,L1Q(M
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Type
- 1PCSNChannel
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-контактный TSON EP Advance T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Type | 1PCSNChannel |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 0.15 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 3.1 mm |
| Package Length | 3.1 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TSON EP Advance |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SON |
| Power Dissipation (Pd) | 700mW |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 24 |
| Typical Rise Time (ns) | 9 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Continuous Drain Current (Id) | 45A |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1900 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 34 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 34@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2230@15V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 2.2@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.3V@500uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 45 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.2mΩ@10V, 22.5A |