TPN2R203NC,L1Q, MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006209243
- Артикул
- TPN2R203NC,L1Q
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSVIII Toshiba U-MOSVIII сочетают в себе низкое сопротивление при включении и низкий ток утечки в тонком корпусе TSON Advance размером 3,3 мм x 3,3 мм x 0,9 мм. Номинальный ток U-MOSVIII варьируется от 43 А до 100 А, RDS (ВКЛ.) (типичный) от 3,5 Мом до 5,2Мом, а вxодная емкость - от 1370 ПФ до 2230 Пф (типичный).
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TSON-Advance-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 42 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 45 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.8 mOhms |