Моя заявка (0)

TPN22006NH,LQ(S,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Surface Mount

TPN22006NH,LQ(S,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012535547
Артикул
TPN22006NH,LQ(S
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.001
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins8Pins
Channel TypeN Channel
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleTSON
Особенности-
Drain Source Voltage Vds60V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id21A
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А21
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация