TPN2010FNH,L1Q, MOSFETs UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004639255
- Артикул
- TPN2010FNH,L1Q
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Длина
- 3.1 mm
- Серия
- TPN2010FNH
- Высота
- 0.85 mm
Цена по запросу
(от 540 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3.1 mm |
| Серия | TPN2010FNH |
| Высота | 0.85 mm |
| Ширина | 3.1 mm |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 4.5 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Triple Common Source |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TSON-Advance-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7 nC |
| Время нарастания | 5.2 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 39 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.9 A |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 168 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |