TPN1R603PL,L1Q(M, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 80 A, 0.0012 ohm, TSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013481877
- Артикул
- TPN1R603PL,L1Q(M
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.001
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 104Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 580 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 104Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0012Ом |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0012 Ом |