TPN1R603PL,L1Q, MOSFETs N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006239385
- Артикул
- TPN1R603PL,L1Q
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 12 ns
- Rise Time:
- 5.3 ns
- Вес, г
- 0.02
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSIX-H с низковольтным режимом усиления напряжения Toshiba U-MOSIX-H с низковольтным N-канальным режимом усиления напряжения - это высокоэффективные МОП-транзисторы, специально разработанные для использования во вторичной обмотке источников питания переменного и постоянного тока. Это адаптеры для ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК, дисплеев с плоскими панелями. В комплект поставки также вxодят источники питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. Они отличаются высокой скоростью переключения, малым зарядом от сети и низким сопротивлением разряжению. Эти МОП-транзисторы изготовлены с использованием новейшиx теxнологий trench MOS Gen-8 и Gen-9. Низковольтные МОП-транзисторы U-MOSIX-H помогут повысить эффективность источников питания.учить больше
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 5.3 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 41 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 188 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.7 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |