Моя заявка (0)

TPN1110ENH,L1Q(M,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Surface Mount

TPN1110ENH,L1Q(M,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044526276
Артикул
TPN1110ENH,L1Q(M
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.02
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
U-MOSVIII-H Series
Цена по запросу
(от 400 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.02
No. of Pins8Pins
Channel TypeN Channel
Product RangeU-MOSVIII-H Series
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleTSON
Особенности-
Drain Source Voltage Vds200V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id13A
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт39
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация