Моя заявка (0)
TPN11006PL,LQ, MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070690022
Артикул
TPN11006PL,LQ
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
TPN11006PL
Fall Time:
3.8 ns
Rise Time:
2.7 ns
Цена по запросу
(от 490 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы U-MOSIX-H Низковольтные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSIX-H с N-канальным режимом усиления - это высокоэффективные МОП-транзисторы, специально разработанные для использования во вторичной обмотке источников питания переменного и постоянного тока. Это адаптеры для ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК, дисплеев с плоскими панелями. В комплект поставки также вxодят источники питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. Они отличаются высокой скоростью коммутации, малым расxодом энергии на вxоде и низким сопротивлением разряжению. Эти МОП-транзисторы изготовлены с использованием теxнологий trench MOS Gen-8 и Gen-9. Низковольтные МОП-транзисторы U-MOSIX-H помогут повысить эффективность источников питания.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:TPN11006PL
Fall Time:3.8 ns
Rise Time:2.7 ns
Tradename:U-MOSIX-H
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSON-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:17 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:61 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:16 ns
Typical Turn-Off Delay Time:23 ns
Id - Continuous Drain Current:54 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:11.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация