TPN11003NL,LQ(S,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 31 A, 0.0094 ohm, TSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044526273
- Артикул
- TPN11003NL,LQ(S
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 3.1mm
- Series
- U-MOSVIII-H
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.02
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 3.1mm |
| Series | U-MOSVIII-H |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TSON |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 19 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 16 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 31 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.3V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 19 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0094 Ом |