TPM2009EP3, 20V 660mA 520m-@4.5V,1A 100mW 1.1V@250uA 9pF@16V P Channel 113pF@16V +150-@(Tj) DFN1006-3L MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015852052
- Артикул
- TPM2009EP3
- Бренд
- TECH PUBLIC
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.01
- Структура
- P-Channel
- Operating Temperature
- -
Цена по запросу
(от 5,34 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 660 мА 520mOhm@4.5V, 1 А 100 МВт 1.1V@250uA P-канальные МОП-транзисторы DFN1006-3L соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.01 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 100mW |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 113pF@16V |
| Continuous Drain Current (Id) | 660mA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9pF@16V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 520mΩ@4.5V, 1A |