TPM2008EP3-A, 20V 700mA 130m-@4.5V,650mA 100mW 750mV@250uA 15pF@16V N Channel 120pF@16V +150-@(Tj) DFN1006-3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015834824
- Артикул
- TPM2008EP3-A
- Бренд
- TECH PUBLIC
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.02
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -
Цена по запросу
(от 4,54 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 700 мА 130mOhm@4.5V, 650 мА 100 МВт 750 мВ при 250uA N-канальные МОП-транзисторы DFN1006-3 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.02 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 100mW |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 120pF@16V |
| Continuous Drain Current (Id) | 700mA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15pF@16V |
| Пороговое напряжение на затворе | 750mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 130mΩ@4.5V, 650mA |