Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024893789
Артикул
TPM1019ND6
Бренд
TECH PUBLIC
Вес, г
0.03
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
800mW
Особенности
-
Цена по запросу
(от 24,84 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.03
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)800mW
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)19.3nC
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.439nF@10V
Continuous Drain Current (Id)15.2A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)202pF@10V
Пороговое напряжение на затворе1.2V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)9mΩ@4.5V, 15.2A