TPHR9203PL,L1Q(M, Trans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002346383
- Артикул
- TPHR9203PL,L1Q(M
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 560 ₽)
Минимальный заказ: 54 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 30V 280A с 8-контактным разъемом SOP Advance
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Preliminary |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 5 |
| Package Length | 5 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOP Advance |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Process Technology | U-MOSIX-H |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 18 |
| Typical Rise Time (ns) | 8 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 81 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 38@4.5V|81@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5800@15V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 920@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 280 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 132 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |