TPHR9003NL,L1Q, 30V 60A 1.6W 0.9mOhm@10V,30A 2.3V@1mA N Channel DSOP-8-EP-5.0mm MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017599062
- Артикул
- TPHR9003NL,L1Q
- Бренд
- Toshiba
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.17
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 60 А 1,6 Вт 0.9mOhm@10V,30 A 2.3V@1mA 1шт-канальные МОП-транзисторы DSOP-8-EP-5,0 мм ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOP-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 74 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.6W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 78 W |
| Continuous Drain Current (Id) | 60A |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.3V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.9mΩ@10V, 30A |